Digital integrert kretsteknologi

Fakta om studiet

EmnekodePHYS223
Studiepoeng10
UndervisingssemesterHøst
Antall semester1
Undervisingsspråk
Engelsk, norsk dersom berre norskspråklege studentar
Ressursar
TilhørerInstitutt for fysikk og teknologi

Kontakt

Kontaktinformasjon

Studieveileder

Mål og innhald

Emnet behandlar MOS transistorens fysiske egenskaper, statisk og dynamisk analyse av logiske funksjoner, prosessering og utlegg av enkle kretsar som inngår i VLSI-systemer. Emnet dannar grunnlaget for vidaregåande studium i mikroelektronikk, og er av interesse for studentar i tilgrensende fag.

Læringsutbyte/resultat

Ved fullført emne PHYS223 skal studenten kunne:

  • Forklare og bruke transistormodellar som eignar seg for digitale sub-mikrometer integrerte kretsar.
  • Greie ut om integrert krets-prosessteknologi.
  • Konstruere, kalkulere og simulere kombinatoriske og sekvensielle kretsar.
  • Bruke ei systematisk metode for å optimalisere hastigheita til digitale integrerte kretsar.

Undervisningssemester

Haust

Eksamenssemester

Det er ordinær eksamen kvart semester

Krav til studierett

For oppstart på emnet er det krav om ein studierett knytt til Det matematisk-naturvitskaplege fakultet, samt at du oppfyller ev opptakskrav

Krav til forkunnskapar

Ingen

Tilrådde forkunnskapar

TOE001 og TOE002(HiB)

Obligatoriske arbeidskrav

Laboratorieøvelser og prosjektoppgave. Gyldighet av obligatoriske laboratorieøvinger for emnet er 4 semester.

Vurderingsformer

Mappeevaluering av øvinger, prosjektoppgave samt muntlig avsluttende eksamen.

Karakterskala

Ved sensur av emnet vert karakterskalaen A-F nytta.

Undervisningsstad

Bergen

Emneevaluering

Studentane skal evaluere undervisninga i tråd med UiB og instituttet sitt kvalitetssikringssystem.